SK hynix berkata bekalan memori DRAM dan memori lebar jalur tinggi (HBM) syarikat itu secara efektifnya telah habis ditempah untuk tempoh tiga tahun akan datang sehingga 2029, didorong oleh permintaan besar daripada industri kecerdasan buatan (AI).
Kenyataan itu dibuat oleh ketua pemasaran DRAM SK hynix, Park Jun-deok, ketika panggilan pendapatan suku ketiga 2026 pada 28 Oktober lalu.
Menurutnya, angka tersebut menggabungkan volum yang sudah dijamin melalui perjanjian bekalan jangka panjang (LTA) dengan permintaan yang masih dalam rundingan bersama pelanggan. Ini bermakna bukan kesemua bekalan sehingga 2029 telah dimeterai secara rasmi. Setakat ini, SK hynix mempunyai LTA dengan 14 pelanggan.
Syarikat Korea Selatan itu turut menjangkakan kekurangan bekalan memori berterusan sehingga 2030.
Permintaan tinggi tersebut sudah memberi kesan kepada harga. SK hynix melaporkan harga jualan purata DRAM meningkat sekitar 25% hingga 29% berbanding suku sebelumnya, manakala harga NAND naik sekitar 25%.
Pada suku sama, hasil syarikat mencecah KRW104.62 trilion, kali pertama melepasi paras KRW100 trilion dalam satu suku, dengan margin operasi hampir 80%.
SK hynix merupakan antara tiga pengeluar memori utama dunia bersama Samsung dan Micron. DRAM pula digunakan secara meluas dalam telefon pintar, komputer riba, PC dan konsol permainan.
Apabila sebahagian besar bekalan sudah ditempah untuk tempoh panjang, pengeluar peranti pengguna berpotensi berdepan kos komponen yang lebih tinggi untuk beberapa tahun lagi.
Sebelum ini, kami melaporkan kenaikan kos RAM dan SSD dikhabarkan boleh menolak harga PS6 melepasi AS$1,000.
Bagaimanapun, pasaran memori terkenal dengan kitaran naik turun. Beberapa laporan media menyebut pengembangan kilang oleh pengeluar lain, termasuk CXMT dari China, berpotensi mencetuskan lebihan bekalan sekitar 2029 apabila kapasiti baharu mula beroperasi serentak. Unjuran ini masih belum pasti.
SK hynix sendiri sedang menambah kapasiti. Antaranya, kilang M15X akan beroperasi pada kapasiti maksimum menjelang hujung tahun ini untuk meningkatkan pengeluaran HBM4.