Gergasi Korea Selatan itu mendakwa DRAM terbaru dari mereka mampu mengurangkan penggunaan tenaga sebanyak 10% dan pada masa yang sama mengekalkan pertukaran data sebanyak 4.266 mbps seperti yang terdapat di dalam cip generasi pertama mereka.
Mengikut Naib Presiden Kanan Jualan Memori & Pemasaran Samsung Electronics, Sewon Chun:
Kemunculan DRAM mudah alih 10nm akan membolehkan peningkatan solusi kepada telefon pintar generasi seterusnya yang dijangkakan menemui pasaran seawal akhir tahun ini.
Kami akan terus membangunkan siri DRAM premium bagi memenuhi permintaan pasaran yang mahukan cip memori berprestasi tinggi dan juga rendah dari segi penggunaan tenaga.
Samsung menggabungkan 2 cip 10nm berkapasiti 16gb LPDDR4X menjadi satu cip LPDDR4X yang berkapasiti 8GB yang mempunyai 4 saluran membawa kadar data sebanyak 34.1GB sesaat dan ketebalan yang dikurangkan sebanyak 20% dari generasi pertama. Ini membolehkan pengeluar telefon pintar menghasilkan peranti yang leibh nipis dan berkesan.
Samsung juga telah mula mengoperasikan kilangnya di Pyeongtaek bagi tujuan penghasilan cip DRAM mereka supaya bekalan produk tersebut di pasaran sentiasa dipenuhi.
Sumber: TechPowerUp, ZDnet
Berkaitan
- Jemputan Media Ke Pelancaran Samsung Galaxy S9
- Pewaris Samsung Dihukum Penjara 5 Tahun Atas Kesalahan Rasuah
- Samsung Mungkin Kembalikan Sistem Penyejukan Kebuk Wap Pada Telefon Pintar
- Samsung Galaxy S8 Mendapat Rating Tertinggi Dari Pengguna
- Samsung Secara Rasmi Boleh Untuk Tidak Mengemaskini Peranti Mereka
- Samsung Mengguna Pakai 40 Galaxy S5 Menjadi Sebuah Mesin Perlombongan Bitcoin
- Samsung Galaxy Watch 4 Akan Hadir Tanpa Pengecas
- iPhone 13 Pro Dan Pro Max Akan Menggunakan Skrin 120Hz Buatan Samsung
- Samsung Akan Terus Menggunakan Paip Haba Untuk Peranti 2018 Mereka
- Tetapan 3 Kamera Untuk Ulang Tahun Ke-10 Samsung?