Samsung Electronics memperkenalkan beberapa inovasi memori AI terbarunya pada acara Future of Memory and Storage (FMS) 2026 di Santa Clara, California.
Salah satu teknologi yang diperkenalkan ialah zHBM, iaitu konsep seni bina memori baharu untuk pengkomputeran AI. Berbeza dengan reka bentuk konvensional yang meletakkan HBM di sebelah pemproses, zHBM menyusun HBM secara menegak terus di atas pemecut AI.
Pendekatan ini direka untuk memendekkan jarak penghantaran data antara pemproses AI dan memori, sekali gus membolehkan lebar jalur yang lebih tinggi, penggunaan tenaga yang lebih cekap serta pemprosesan data yang lebih pantas bagi latihan dan inferens AI berskala besar.
Menurut Samsung, seni bina ini dijangka mampu menawarkan prestasi sekitar lapan kali ganda berbanding HBM5. Dengan teknologi wafer bonding generasi baharu, zHBM juga berpotensi mencapai kepadatan memori lebih 10 kali ganda, meningkatkan kecekapan tenaga sehingga tiga kali dan mengurangkan rintangan haba lebih daripada separuh.
Selain itu, zHBM menyokong reka bentuk mengikut keperluan pelanggan dengan membolehkan IP tersuai diintegrasikan antara memori dan pemecut AI bagi meningkatkan kapasiti memori serta prestasi sistem.
Samsung turut memperkenalkan zNAND-O, iaitu penyelesaian NAND berprestasi tinggi generasi baharu yang dibangunkan berasaskan teknologi V-NAND. Ia sedang dibangunkan dalam versi empat dan lapan lapisan, serta dioptimumkan untuk persekitaran edge AI.
Dengan gabungan kecekapan ruang, prestasi input/output (I/O) yang dipertingkat dan kependaman rendah, zNAND-O direka untuk menyokong aplikasi AI masa nyata yang memproses data dalam jumlah besar.
V10 BV-NAND Dengan Lebih 400 Lapisan
Selain konsep memori baharu, Samsung turut memperkenalkan V10 BV-NAND yang menggunakan seni bina Bonding V-NAND baharu. Pengenalan ini dibuat 13 tahun selepas syarikat itu memperkenalkan teknologi V-NAND pertama dalam industri pada Flash Memory Summit 2013.
V10 BV-NAND merupakan V-NAND pertama dalam industri yang mempunyai lebih 400 lapisan. Menurut Samsung, ia menawarkan prestasi dan kecekapan tenaga yang lebih baik, dserta meningkatkan kepadatan memori dengan ketara.
Melalui penggunaan teknologi wafer bonding untuk menyusun sel memori, Samsung berkata kepadatan memori meningkat sekitar 58% berbanding generasi sebelumnya, V9.
Selain mempunyai lebih banyak lapisan, V10 BV-NAND turut meningkatkan prestasi bacaan, penulisan dan I/O berbanding generasi sebelumnya, sekali gus menyokong keperluan sistem serta aplikasi AI yang memerlukan storan berprestasi dan berkapasiti tinggi.
HBM4E, HBM5 dan LPDDR5X-PIM
Samsung juga mempamerkan portfolio memori AI yang merangkumi HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM serta penyelesaian storan perusahaan PM1763 dan BM1773.
Samsung berkata syarikat itu memulakan pengeluaran besar-besaran HBM4 pada Februari, sebelum menjadi yang pertama menghantar sampel HBM4E kepada pelanggan global pada Mei.
Turut dipamerkan ialah LPDDR5X-PIM, yang menurut Samsung merupakan memori LPDDR pertama dalam industri dengan teknologi processing-in-memory (PIM). Teknologi ini membolehkan pemprosesan data dilakukan terus di dalam memori bagi meningkatkan kecekapan pergerakan data dan penggunaan tenaga.
Penyelesaian storan perusahaan PM1763 dan BM1773 pula dibangunkan bagi memenuhi permintaan storan yang semakin meningkat di pusat data AI.