Samsung Electronics kini memulakan penghantaran sampel memori jalur lebar tinggi (High Bandwidth Memory) HBM4E 12-lapisan pertama di dunia kepada pelanggan global utamanya.
Langkah ini diambil sejurus selepas pengeluaran besar-besaran cip HBM4 bermula awal tahun ini, demi memenuhi lonjakan permintaan pengkomputeran kecerdasan buatan (AI) berskala mega dan infrastruktur pusat data.
Cip HBM4E terbaharu ini menawarkan kelajuan pin stabil pada kadar 14Gbps yang boleh ditingkatkan sehingga 16Gbps untuk menyokong keperluan pemprosesan data intensif.
Peningkatan ini mencatatkan lonjakan prestasi melebihi 20% berbanding model HBM4 biasa, sekali gus menghasilkan jalur lebar memori sehingga 3.6 terabyte sesaat (TB/s) bagi setiap susunan (stack).
Pengoptimuman ini sangat kritikal untuk memaksimumkan kelancaran operasi model bahasa raya (LLM). Untuk fasa permulaan, sampel 12-lapisan ini hadir dengan kapasiti sebesar 48GB sebelum variasi 32GB (8-lapisan) dan 64GB (16-lapisan) diperkenalkan kelak.
Dari aspek perkakasan, HBM4E menggabungkan proses pembuatan DRAM gred 10nm generasi keenam (1c) bersama acuan asas logik 4nm daripada Samsung Foundry.
Melalui senibina hibrid ini, kecekapan tenaga bagi cip memori ini berjaya dipertingkatkan sebanyak 16%, manakala tahap rintangan haba dikurangkan melebihi 14% berbanding model sebelum ini bagi menjamin kebolehpercayaan jangka panjang di pusat data.
Samsung merancang untuk memulakan fasa pengeluaran secara besar-besaran untuk siri HBM4E ini sebaik sahaja fasa ujian sampel awal dan penyelarasan bersama pelanggan selesai dilakukan.