Pasukan penyelidik dari Universiti Fudan, China, berjaya mencapai kejayaan besar dalam bidang cip memori dengan menghasilkan teknologi storan flash terpantas dunia yang diberi nama “PoX”.
Teknologi ini berupaya mencapai kelajuan baca dan tulis data kurang daripada 1 nanosaat (sekitar 400 pikosaat), bersamaan 2.5 bilion operasi sesaat.
Selama ini, kelajuan storan merupakan cabaran terbesar dalam dunia cip memori, khususnya untuk memenuhi keperluan era AI dan pengiraan berprestasi tinggi.
Teknologi sedia ada mempunyai kelemahan, di mana memori jenis SRAM atau DRAM yang laju mempunyai kapasiti kecil, kos tinggi, serta kehilangan data selepas terputus bekalan kuasa.
Sebaliknya, memori jenis flash pula menawarkan kapasiti besar dan sifat tidak mudah hilang data, tetapi mempunyai kelemahan ketara iaitu kelajuan yang jauh lebih perlahan.
Pasukan diketuai oleh Profesor Zhou Peng dan Penyelidik Liu Chunsen mengatasi masalah kelajuan ini melalui pendekatan baharu yang dikenali sebagai mekanisme “ultra-injection”.
Mereka menggunakan model Poisson dua dimensi yang membolehkan elektron disuntik ke dalam lapisan storan tanpa memerlukan jarak pemanasan (pre-acceleration).
Ini membolehkan kelajuan pemindahan data meningkat secara drastik, sekali gus melangkaui had teori yang selama ini dianggap mustahil.
Teknologi ini bukan sahaja memecah rekod kelajuan, malah boleh mengubah secara asas seni bina cip memori pada masa depan.
Jika teknologi ini berjaya dikomersialkan, komputer pada masa depan mungkin tidak lagi memerlukan pemisahan memori dalaman dan luaran, sekali gus mempercepatkan operasi pengiraan AI.
Pasukan penyelidik juga berjaya membuktikan bahawa teknologi mereka boleh diintegrasikan dengan proses sedia ada (CMOS), dan kini telah mencapai tahap prototaip yang bersedia untuk pengkomersialan dalam tempoh beberapa tahun lagi, bakal memperkukuhkan lagi kedudukan China dalam bidang teknologi global.
Sumber: Fudan University