Samsung menyatakan, storan V-NAND baharu ini mempunyai kapasiti storan tertinggi setakat ini yang membolehkan ruang storan yang lebih besar untuk industri sistem pelayan generasi akan datang di seluruh dunia.
{suggest}
Berdasarkan antara muka Toggle DDR 5.0* iaitu standard terkini bagi storan pantas NAND, V-NAND generasi ke-8 Samsung mempunyai kelajuan input dan output (I/O) sehingga 2.4 gigabit sesaat (Gbps).
Ia adalah peningkatan 1.2X ganda berbanding generasi sebelumnya. Ini akan membolehkan V-NAND baharu menampung keperluan prestasi PCIe 4.0, dan PCIe 5.0 akan datang.
Tetapi dengan antaramuka PCIe 5.0 x 4, kelajuan storan terbaru ini dijangka mampu mencapai kelajuan pindahan data sehingga 12.4Gbps.
Malah mungkin lebih lagi jika digabungkan dengan kawalan antaramuka termaju.
Samsung berkata, V-NAND generasi ke-8 ini dijangka berfungsi sebagai asas untuk konfigurasi storan yang membantu mengembangkan kapasiti storan dalam industri pelayan generasi akan datang, sambil memperluaskan penggunaannya ke dalam pasaran automotif.
Sumber: Samsung Electronics, Tom's Hardware
Berkaitan
- 50 Juta Unit Telefon Pintar Samsung Dilaporkan Tidak Terjual
- Cara Aktifkan Ciri 'Flex Mode' Pada Telefon Pintar Boleh Lipat Samsung Galaxy Z Flip Dan Fold
- Bukan Lagi 15GB Tapi 1TB Storan Awan Percuma Kepada Semua Pengguna Google Workspace
- Samsung Umum Galaxy SmartTag2, Hayat Bateri Hingga 700 Hari
- Samsung Galaxy Tab S6 Adalah Tablet Pertama Yang Diperakui Dengan Paparan HDR10+
- CelcomDigi Tawar Naik Taraf Storan iPhone Percuma
- Samsung Menyatakan, Setiap Minggu Anda Patut Mengimbas Televisyen Pintar Anda Supaya Bebas Dari Virus
- Pengeluaran Galaxy Z Flip Terpaksa Dihentikan Selepas Pekerja Kilang Samsung Disahkan Positif Covid-19
- Penyelidik Mendakwa Terdapat Kecacatan Keselamatan Kritikal Pada 100 Juta Telefon Pintar Samsung
- Kemas Kini Windows 10 May 2020 Menimbulkan Masalah Serius Pada Storan Intel Optane