Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahawa mereka telah memulakan produksi secara besar-besaran bagi pengeluaran storan generasi ke-8 1-terabit (Tb) sel tiga peringkat (TLC) Vertical NAND (V-NAND) dengan ketumpatan bit tertinggi dalam industri.

Samsung menyatakan, storan V-NAND baharu ini mempunyai kapasiti storan tertinggi setakat ini yang membolehkan ruang storan yang lebih besar untuk industri sistem pelayan generasi akan datang di seluruh dunia.

{suggest}

Berdasarkan antara muka Toggle DDR 5.0* iaitu standard terkini bagi storan pantas NAND, V-NAND generasi ke-8 Samsung mempunyai kelajuan input dan output (I/O) sehingga 2.4 gigabit sesaat (Gbps).

Ia adalah peningkatan 1.2X ganda berbanding generasi sebelumnya. Ini akan membolehkan V-NAND baharu  menampung keperluan prestasi PCIe 4.0, dan PCIe 5.0 akan datang.

Tetapi dengan antaramuka PCIe 5.0 x 4, kelajuan storan terbaru ini dijangka mampu mencapai kelajuan pindahan data sehingga 12.4Gbps.

Malah mungkin lebih lagi jika digabungkan dengan kawalan antaramuka termaju.

Samsung berkata, V-NAND generasi ke-8 ini dijangka berfungsi sebagai asas untuk konfigurasi storan yang membantu mengembangkan kapasiti storan dalam industri pelayan generasi akan datang, sambil memperluaskan penggunaannya ke dalam pasaran automotif.

Sumber: Samsung Electronics, Tom's Hardware