Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahawa mereka telah memulakan produksi secara besar-besaran bagi pengeluaran storan generasi ke-8 1-terabit (Tb) sel tiga peringkat (TLC) Vertical NAND (V-NAND) dengan ketumpatan bit tertinggi dalam industri.
Samsung menyatakan, storan V-NAND baharu ini mempunyai kapasiti storan tertinggi setakat ini yang membolehkan ruang storan yang lebih besar untuk industri sistem pelayan generasi akan datang di seluruh dunia.
Berdasarkan antara muka Toggle DDR 5.0* iaitu standard terkini bagi storan pantas NAND, V-NAND generasi ke-8 Samsung mempunyai kelajuan input dan output (I/O) sehingga 2.4 gigabit sesaat (Gbps).
Ia adalah peningkatan 1.2X ganda berbanding generasi sebelumnya. Ini akan membolehkan V-NAND baharu menampung keperluan prestasi PCIe 4.0, dan PCIe 5.0 akan datang.
Tetapi dengan antaramuka PCIe 5.0 x 4, kelajuan storan terbaru ini dijangka mampu mencapai kelajuan pindahan data sehingga 12.4Gbps.
Malah mungkin lebih lagi jika digabungkan dengan kawalan antaramuka termaju.
Samsung berkata, V-NAND generasi ke-8 ini dijangka berfungsi sebagai asas untuk konfigurasi storan yang membantu mengembangkan kapasiti storan dalam industri pelayan generasi akan datang, sambil memperluaskan penggunaannya ke dalam pasaran automotif.
Sumber: Samsung Electronics, Tom’s Hardware