Samsung menyatakan, storan V-NAND baharu ini mempunyai kapasiti storan tertinggi setakat ini yang membolehkan ruang storan yang lebih besar untuk industri sistem pelayan generasi akan datang di seluruh dunia.
{suggest}
Berdasarkan antara muka Toggle DDR 5.0* iaitu standard terkini bagi storan pantas NAND, V-NAND generasi ke-8 Samsung mempunyai kelajuan input dan output (I/O) sehingga 2.4 gigabit sesaat (Gbps).
Ia adalah peningkatan 1.2X ganda berbanding generasi sebelumnya. Ini akan membolehkan V-NAND baharu menampung keperluan prestasi PCIe 4.0, dan PCIe 5.0 akan datang.
Tetapi dengan antaramuka PCIe 5.0 x 4, kelajuan storan terbaru ini dijangka mampu mencapai kelajuan pindahan data sehingga 12.4Gbps.
Malah mungkin lebih lagi jika digabungkan dengan kawalan antaramuka termaju.
Samsung berkata, V-NAND generasi ke-8 ini dijangka berfungsi sebagai asas untuk konfigurasi storan yang membantu mengembangkan kapasiti storan dalam industri pelayan generasi akan datang, sambil memperluaskan penggunaannya ke dalam pasaran automotif.
Sumber: Samsung Electronics, Tom's Hardware
Berkaitan
- YouTuber Popular Dakwa Bateri Telefon Pintar Samsung Mengembung
- Khabar Angin Tentang Spesifikasi Samsung Galaxy Note 10 Lite
- Beli Samsung Galaxy A24 Sekarang Dan Dapatkan Hadiah Bernilai RM178
- Samsung Melancarkan Samsung Galaxy Watch 4 Dan Galaxy Watch 4 Classic
- Ini Senarai Peranti Samsung Yang Akan Terima Kemas Kini Android Sehingga 5 Tahun
- Samsung Mendedahkan Visi Pembangunan Capaian Teknologi 6G
- Amazon 'Kantoi' Kononnya Jual Storan Luar 16TB, Sebaliknya...
- Kini Anda Boleh Beli Barangan Samsung Dengan GrabPay atau PayLater by Grab
- Jom Sambar Samsung Galaxy A12 Dan Xiaomi Redmi 9A Dari Digi
- Tetikus Samsung Ini Tak Bagi Anda Kerja Lebih Masa Dari Waktu Pejabat