Para penyelidik di Universiti Peking, China, telah mencipta transistor 2D yang dikatakan 40% lebih pantas daripada cip silikon 3nm terkini dari Intel dan TSMC serta 10% penggunaan tenaga lebih rendah, menjadikannya transistor paling laju dan paling cekap pernah dibangunkan.
Inovasi ini menggunakan bahan baharu berasaskan bismut, iaitu Bi₂O₂Se dan Bi₂SeO₅, yang mempunyai ketebalan atom sekata serta kecekapan tenaga lebih tinggi berbanding silikon konvensional.
https://x.com/PKU1898/status/1893465806039851088
Berbeza dengan teknologi semikonduktor sedia ada yang berdepan cabaran dalam mengecilkan saiz transistor tanpa menjejaskan prestasi, reka bentuk baharu ini tidak memerlukan struktur “fin” seperti pada cip FinFET, yang membolehkan kawalan yang lebih baik dan kehilangan tenaga yang minimum.
Ketua penyelidik, Profesor Peng Hailin, menyatakan bahawa kejayaan ini mendorong China untuk mengambil pendekatan berbeza dalam perlumbaan semikonduktor global.
Dengan sokongan teknologi pemprosesan berketepatan tinggi PKU, mereka kini berusaha untuk meningkatkan pengeluaran cip ini ke skala yang lebih besar.
Jika berjaya, ini boleh mengubah landskap industri semikonduktor dan memberi saingan baharu kepada gergasi seperti Intel, TSMC, Samsung dan lain-lain.
{suggest}
Sumber: Interesting Engineering