Saiz dan nanometer sememangnya tidak asing untuk pembuatan cip pemprosesan. Namun disebabkan teknologi pengimejan semakin maju, imej sensor pula didorong untuk dikecilkan untuk kesesuaian kemampuan sensor tersebut. Terbaru, Samsung mendedahkan teknologi pembuatan FinFET untuk imej sensor 144MP bersaiz 14nm. Teknologi ini dipertontonkan oleh mereka pada konferens IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019 baru-baru ini.

Menurut penyelidik Samsung, teknologi ini membolehkan sensor tersebut mengurangkan penggunaan tenaga sebanyak 42% ketika mengambil gambar pada kadar 10 bingkai per saat. Untuk rakaman video 12MP pula, ia mampu menjimatkan tenaga sehingga 37%.

Teknologi FinFET 14nm ini adalah diperlukan pada sensor imej kerana sensor perlu berfungsi pada voltan yang tinggi (2V), dan pereka imej sensor perlu menghasikan voltan terendah yang termampu. Ini adalah untuk mengurangkan haba dan juga penggunaan tenaga yang diperlukan.



Jika sebelum ini imej sensor dibina berasaskan teknologi planar, kaedah penghasilan menggunakan teknologi seperti cip pemprosesan ini bakal memanfaatkan hayat bateri peranti pintar jika mula digunakan nanti.

Sumber: Image Sensors