Cip 10nm ini mempunyai kadar pertukaran data sehingga 6,400Mbps yang membawa kelajuan 1.5 kali ganda lebih laju dari apa yang ditawarkan oleh cip DRAM terkini yang digunakan di dalam telefon pintar.
Kadar yang ditingkatkan ini menghasilkan keupayaan data sebesar 51.2GB dihantar untuk setiap saat-14 fail video Full HD 1080 dengan setiap saiz sebesar 3.7GB.
Samsung menawarkan cip terbaru ini dalam dua jalur lebar; 6,400 Mbps pada 1.1V voltan operasi dan 5,500 Mbps pada 1.05V. Mereka mendakwa mencapai prestasi ini dengan menambah baik senibina cip sedia ada seperti meningkatkan jumlah bank memori kepada 16.
DRAM terbaru daru Samsung ini juga mempunyai mod 'tidur' yang mengurangkan penggunaan tenaga sehigga separuh dari apa yang ada ketika ini, secara langsung meningkatkan jangka hayat bateri untuk telefon pintar.
Samsung tidak memberikan jalur masa bila cip terbaru ini akan memasuki fasa pembuatan seterusnya tarikh kemungkinan cip-cip ini akan sampai kepada pengeluar telefon pintar di luar sana.
Berkaitan
- Samsung Mungkin Perkenal Cip Exynos Dengan GPU AMD Julai Ini
- AR Emoji Tidak Diinspirasikan Oleh Animoji Apple, Samsung
- Sebuah Peranti Samsung Galaxy J7 Terbakar Semasa Dalam Penerbangan Pesawat Komersil
- Samsung Mulakan Proses Pembuatan Cip 16Gb LPDDR4X Generasi Ke-2
- Samsung Galaxy A7 (2018) Memunculkan Diri Di Geekbench
- iPhone 13 Pro Dan Pro Max Akan Menggunakan Skrin 120Hz Buatan Samsung
- Samsung Galaxy Note 9 Mungkin Keluar Lebih Awal Dari Biasa
- Kamera Hadapan Samsung Galaxy S10+ Berada Di Bucu?
- Samsung Bekerjasama Dengan Perancis Dalam Membangunkan Fasiliti Penyelidikian AI
- Samsung Galaxy J7 Pro Dan J7 Max Telah Selamat Diperkenalkan